DS1245Y-70IND+一級優質供應正品原裝現貨。DS1245Y-70IND+DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。DIP封裝的DS1245器件可以用來替代現有的128k x 8靜態RAM，符合通用的單字節寬、32引腳DIP標準。PowerCap模塊封裝的DS1245器件可以直接表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。