制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 70 V
Id-連續漏極電流: 5 A
Rds On-漏源導通電阻: 200 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 18 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
配置: Single
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
系列: VND5N07-E
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Power MOSFET
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 3 S
下降時間: 1100 ns
濕度敏感性: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 400 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 3900 ns
典型接通延遲時間: 150 ns
單位重量: 4 g
STM32F103C8T6
SPX3819M5-L-3-3/TR
TPS62130RGTR
TPS23861PWR
TPS2065DBVR
TXS0108EPWR
TXS0108EPWR
HDC1080DMBR
AT24C04C-SSHM-T
MAX3232IPWR
MIC2774N-46YM5
