8 Mb 至 128 Mb 高速 CMOS PSRAM
Alliance 的器件提供了替換便攜式電子設備中的 SRAM 所需的高帶寬和低功耗
AS1C512K16P-70BIN AS1C1M16PL-70BIN AS1C1M16P-70BIN
AS1C2M16P-70BIN AS1C4M16PL-70BIN AS1C8M16PL-70BIN
高速 CMOS 偽 SRAM (PSRAM) 結合了 SRAM 和 DRAM 最理想的特性，為設計人員提供易于使用、低功耗和經濟高效的存儲器解決方案。這些器件采用具有 SRAM 接口的高密度 DRAM 內核和片上刷新電路，可實現無刷新操作，提供更高的帶寬和低功耗，可替代移動電話和 PDA 等便攜式電子產品中的 SRAM，或作為 NOR Flash 應用的伴侶芯片。
特性
密度范圍廣：
8 Mb、16 Mb 和 32 Mb 器件，具有與異步型 SRAM 兼容的接口
64 Mb 和 128 Mb CellularRAM PSRAM，具有多路復用地址/數據總線，可提供更高帶寬
提供 6.0 mm x 7.0 mm x 1.0 mm 48 球 FPBGA 和 4.0 mm x 4.0 mm x 1.0 mm 49 球 FPBGA 封裝
支持異步和猝發操作
功能讀取或寫入猝發長度為 4、8、16 或 32 個字，或連續猝發
工作溫度范圍為 -30°C 至 +85°C 和 -40°C 至 +85°C
快速訪問速度為 70 秒
采用 1.7 V 至 1.95 V 或 2.6 V 至 3.3 V 的單電源供電
節能特性
自動溫度補償型自我刷新 (ATCSR)
部分陣列自我刷新 (PASR)
深度斷電 (DPD) 模式
應用
無線
汽車
網絡
工業
