功能說明：MT47H32M16NF-25E IT:H
DDR2 SDRAM使用雙倍數據速率架構來實現高速操作。雙倍數據速率架構本質上是4n預取架構，該接口旨在在每個時鐘周期在I / O球上傳輸兩個數據字。一個DDR2 SDRAM的READ或WRITE操作實際上包含一個4n位寬，內部DRAM內核的兩個時鐘周期的數據傳輸和四個對應的I / O球上的n位寬，半個時鐘周期的數據傳輸。雙向數據選通（DQS，DQS＃）與數據一起在外部傳輸，用于用于接收器的數據捕獲。 DQS是由DDR2 SDRAM傳輸的選通脈沖在讀取期間以及在寫入期間由存儲控制器執行。 DQS與邊緣對齊讀取數據，并與寫入數據居中對齊。 x16產品有兩個數據選通，一個用于低位字節（LDQS，LDQS＃），另一個用于高位字節（UDQS，UDQS＃）。
DDR2 SDRAM從差分時鐘（CK和CK＃）運行；穿越CK變高和CK＃變低將被稱為CK的上升沿。指令（地址和控制信號）記錄在CK的每個上升沿。輸入項數據記錄在DQS的兩個邊緣，輸出數據引用到DQS的兩個邊緣DQS以及CK的兩個邊緣。對DDR2 SDRAM的讀寫訪問是面向突發的。訪問從選定的位置開始位置，并在已編程的位置繼續編程的數量序列。訪問從注冊ACTIVATE命令開始，然后進行注冊然后是READ或WRITE命令。注冊的地址位與ACTIVATE命令用于選擇要訪問的庫和行。地址與READ或WRITE命令一致注冊的位用于選擇突發訪問的庫和起始列位置。
DDR2 SDRAM提供可編程的讀或寫突發長度，長度為四或八個位置。 DDR2 SDRAM支持用另一中斷中斷突發讀取8讀取或八次寫入的突發寫入。可能啟用了自動預充電功能提供自定時的行預充電，該預充電在突發訪問結束時啟動。與標準DDR SDRAM一樣，DDR2 SDRAM的流水線多庫架構啟用并發操作，從而通過隱藏提供高有效帶寬行預充電和激活時間。提供自刷新模式以及省電，掉電模式。所有輸入均與SSTL_18的JEDEC標準兼容。全部驅動力輸出是SSTL_18兼容的。
特征：MT47H32M16NF-25E IT:H
•VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V
•JEDEC標準的1.8V I / O（與SSTL_18兼容）
•差分數據選通（DQS，DQS＃）選項
•4n位預取架構
•x8的重復輸出選通（RDQS）選項
•DLL使DQ和DQS過渡與CK對齊
•8個內部銀行可同時運行
•可編程CAS延遲（CL）
•發布的CAS附加延遲（AL）
•寫延遲=讀取延遲-1 t
CK
•可選的突發長度（BL）：4或8
•可調的數據輸出驅動強度
•64毫秒，8192周期刷新
•片上終止（ODT）
•工業溫度（IT）選件
•汽車溫度（AT）選件
•符合RoHS
•支持JEDEC時鐘抖動規范
選項標記：MT47H32M16NF-25E IT:H
•配置
– 256 Meg x 4（32 Meg x 4 x 8組）256M4
– 128 Meg x 8（16 Meg x 8 x 8組）128M8
– 64 Meg x 16（8 Meg x 16 x 8組）64M16
•FBGA封裝（無鉛）– x16
– 84球FBGA（8mm x 12.5mm）模具
轉速：H
人力資源
– 84球FBGA（8mm x 12.5mm）模具
轉速：M
NF
•FBGA封裝（無鉛）– x4，x8
– 60球FBGA（8mm x 10mm）模具
轉速：H
碳纖維
– 60球FBGA（8mm x 10mm）模具
轉速：M
SH
•FBGA封裝（鉛焊料）– x16
– 84球FBGA（8mm x 12.5mm）模具
轉速：H
硬件
•FBGA封裝（鉛焊料）– x4，x8
– 60球FBGA（8mm x 10mm）模具
轉速：H
JN
•時間-循環時間
– 1.875ns @ CL = 7（DDR2-1066）-187E
– CL = 5（DDR2-800）-25E時為2.5ns
– 3.0ns @ CL = 5（DDR2-667）-3
•自我刷新
–標準無
–低功率L
•工作溫度
–商業（0°C TC + 85°C）2無
–工業（–40°C TC + 95°C；
–40°C TA + 85°C）
它
•修訂：H /：M
注意
制造商:MT47H32M16NF-25E IT:H
Micron Technology
產品種類:
動態隨機存取存儲器
RoHS:
詳細信息
類型:
SDRAM - DDR2
數據總線寬度:
16 bit
組織:
64 M x 16
封裝 / 箱體:
FBGA-84
存儲容量:
1 Gbit
最大時鐘頻率:
800 MHz
電源電壓-最大:
1.9 V
電源電壓-最小:
1.7 V
電源電流—最大值:
95 mA
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
系列:
MT47H
封裝:
Tray
商標:
Micron
安裝風格:
SMD/SMT
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
DRAM
工廠包裝數量:
1368
子類別:
Memory & Data Storage
