150 V N 溝道 X4 級超結功率 MOSFET IXYS N 溝道 X4 級功率 MOSFET 可并聯工作，以滿足更高的電流要求

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IXTT240N15X4HV IXTX400N15X4 IXTN400N15X4 IXTK400N15X4全系列！

Littelfuse 旗下公司IXYS現推出采用電荷補償原理和專有工藝技術開發的功率半導體器件，從而使功率 MOSFET 的導通電阻 [RDS(ON)] 和柵極電荷 (Qg) 顯著降低。低導通電阻可降低傳導損耗，還可降低輸出電容中存儲的能量，從而最大限度地降低開關損耗。低 Qg在輕負載時具有更高的效率以及更低的柵極驅動要求。此外，這些 MOSFET 具有雪崩功能，并擁有出色的 dv/dt 性能。其導通電阻為正溫度系數，它們可以并聯工作，以滿足更高的電流要求。

特性 低 RDS(on)和低 Qg dv/dt 穩健性 雪崩耐量 國際標準封裝 應用 開關電源中的同步整流 電機控制（48 V 至 80 V 系統） DC-DC 轉換器 不間斷電源 電動叉車 D 類音頻放大器 電信系統