功能說明：CY62157EV30LL-45ZSXI
CY62157EV30LL-45ZSXI是一款高性能CMOS靜態RAM按16位組織為512K字。該設備功能先進的電路設計可提供超低有效電流。這個非常適合在便攜式電腦中提供更長的電池壽命（MoBL®）蜂窩電話之類的應用程序。該設備還具有一個自動斷電功能，可大幅降低功耗地址不切換時的消耗。放置設備取消選擇后進入待機模式（CE1 HIGH或CE2 LOW或BHE和BLE均為高）。輸入或輸出引腳（I / O0通過I / O15）處于高阻抗狀態取消選擇設備（CE1HIGH或CE2 LOW），輸出為禁用（OE HIGH），高字節啟用和低字節啟用是禁用（BHE，BLE高）或寫操作處于活動狀態（CE1LOW，CE2 HIGH和WE LOW）。要寫入設備，請使能芯片（CE1 LOW和CE2高）和寫使能（WE）輸入低。如果啟用字節低（BLE）為LOW，則來自I / O引腳（I / O0至I / O7）的數據為寫入地址引腳上指定的位置（A0至A18）。如果字節高使能（BHE）為LOW，則來自I / O引腳的數據（I / O8至I / O15）被寫入到地址引腳（A0至A18）。要從設備讀取，請使能芯片使能（CE1 LOW和CE2高）和輸出使能（OE）為低，同時強制執行寫操作啟用（WE）高電平。如果字節低位使能（BLE）為低，則數據從地址引腳指定的存儲位置出現在I / O0到I / O7上。如果字節高使能（BHE）為低，則來自內存出現在I / O8至I / O15上。請參閱第13頁的真值表有關讀寫模式的完整說明。8-Mbit（512K×16）靜態RAM

特征：CY62157EV30LL-45ZSXI
■薄型小尺寸封裝（TSOP）我的封裝可配置為
512K×16或1M×8靜態RAM（SRAM）
■高速：45 ns
■溫度范圍
❐工業級：–40°C至+85°C
❐汽車類A：–40°C至+85°C
❐Automotive-E：–40°C至+125°C
■寬電壓范圍：2.20 V至3.60 V
■與CY62157DV30引腳兼容
■超低待機功耗
standby典型待機電流：2A
standby最大待機電流：8A（工業）
■超低有功功率
❐典型有功電流：f = 1 MHz時為1.8 mA
■通過CE1，CE2和OE功能輕松進行內存擴展
■取消選擇時自動關機
■互補金屬氧化物半導體（CMOS）
最佳速度和功率
■提供無鉛和非無鉛48球極細間距球
網格陣列（VFBGA），無鉛44引腳薄型小尺寸封裝
（TSOP）II和48引腳TSOP I封裝

制造商:CY62157EV30LL-45ZSXI
Cypress Semiconductor
產品種類:
靜態隨機存取存儲器
RoHS:
詳細信息
存儲容量:
8 Mbit
組織:
512 k x 16
訪問時間:
45 ns
最大時鐘頻率:
-
接口類型:
Parallel
電源電壓-最大:
3.6 V
電源電壓-最小:
2.2 V
電源電流—最大值:
25 mA
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TSOP-44
封裝:
Tray
存儲類型:
Volatile
系列:
CY62157EV30LL
類型:
Asynchronous
商標:
Cypress Semiconductor
端口數量:
1
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
SRAM
工廠包裝數量:
270
子類別:
Memory & Data Storage
商標名:
MoBL
單位重量:
2.565 g