上海德懿電子科技有限公司是國內領先的大型集成電路代理、分銷商。主要經營 ADI（LTC 亞德諾）、Altera（阿爾特拉）、XILINX（賽靈思）、TI（BB；NS 德州儀器）、Maxim（美信）、 Microchip（Atmel 微芯）、Micron（美光）、NXP（Freescale 恩智浦）、ON（Fairchild 安森 美）、Infineon （IR 英飛凌 ）、 ST（意法半導體）、TOSHIBA（東芝）、Cypress（Ramtron 賽普拉斯）、Vishay（威世）、LEM（萊姆）、OMRON（歐姆龍）等世界知名廠家產品。
公司專為國內的航天航空、軍工兵器、雷達船舶、冶煉冶金、工程勘探、采油測井、能源 轉換、鐵路系統、科研院所、電子通訊、汽車電子、電力系統、衛星導航、儀器儀表、醫 療設備、射頻微波通訊、工業控制等行業的科研、生產、工程等領域傳播著最新的技術并提 供全方位的配套產品服務，特別是對已經和即將停產的偏冷門、緊缺器件有著快捷獨特的解 決方案。其中單片機、存儲器、邏輯電路、光電藕合器、穩壓電路、電源管理器、模擬信號 器、繼電器等，在庫存和銷售上都已具備和市場需求相一致的競爭優勢。
集成電路技術包括芯片制造技術與設計技術，主要體現在加工設備、加工工藝、封裝測試、批量生產及設計創新的能力上。“XXnm”指標不僅能反映芯片的制造工藝，也直觀的體現了集成電路廠商的技術路線與發展戰略。
集成電路技術與摩爾定律
提及信息技術包括集成電路在內的發展，總是回避不了“摩爾定律”這四個字——摩爾定律是由英特爾（Intel）創始人之一戈登•摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這一定律揭示了信息技術進步的速度。
集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構。芯片（chip）就是半導體元件產品的統稱，是集成電路（IC，integrated circuit）的載體，由晶圓分割而成。集成電路技術包括芯片制造技術與設計技術，主要體現在加工設備、加工工藝、封裝測試、批量生產及設計創新的能力上。
芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。
集成電路技術發展路線
2017~2018年是集成電路技術的高速發展時期。2017年是全球集成電路技術10nm節點的量產期；2018年則是10nm節點向7 nm節點的世代過渡期，是7 nm 技術進入量產的關鍵年。
三星在2017年5月秀出7nm技術之后，于 2018 年下半年進入量產。臺積電計劃在2018年第二季度搶先實現7 nm 技術量產，格羅方德則宣布 2018 年年底才能進入量產。據臺積電和三星的消息，高通2017年和2018年的7 nm 4G LTE芯片代工訂單已由臺積電拿下，2018年下半年試產的5G芯片則選擇三星的7 nm EUV（極紫外光刻）制程生產。目前臺積電幾乎已經壟斷了7nm 的全球代工市場，其中不僅包括高通驍龍 855（Snapdragon855），還加進了蘋果A12等重磅大單，市場優勢十分顯著。
7 nm技術如同28nm技術一樣，也是一個長壽命節點。28nm技術是平面工藝的臨界點。在28 nm時，不僅MOS晶體管結構仍然是平面型的，而且仍然可以采用圖像的一次曝光技術。在28 nm 以下節點時，不僅 MOS 晶體管采用 Fin FET 結構，而且要采用兩次圖形曝光技術（DP），甚至三次或者四次圖形曝光技術。而7 nm 技術又是由193 nm ArF浸沒式光刻向 EUV（極紫外光刻）技術的轉折點。集成電路技術在 28 nm 技術節點后出現了分水嶺，跨過該節點后，臺積電、英特爾、三星等都依照摩爾定律向16/14/10/7 nm Fin FET 技術前進，Fin FET 技術鎖定在最先進技術的應用產品上，包括高階處理器、人工智能（AI）、深度學習（Deep Learning）、云端服務器等應用。
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