描述：AO3413
20V P溝道MOSFET
AO3413使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和在低至1.8V的柵極電壓下工作。 這個該設備適合用作負載開關或PWM應用程序。

特征：AO3413
VDS = -20V
ID = -3A（VGS = -4.5V）
RDS（開啟）<80mΩ（VGS =-4.5V）
RDS（開啟）<100mΩ（VGS = -2.5V）
RDS（開啟）<130mΩ（VGS = -1.8V）

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AO3413
描述MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-P-通道-20V-3A（Ta）-1.4W（Ta）-SOT-23-3L

一般信息：AO3413

數據列表AO3413;
SOT23 Pkg Drawing;
標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列-

規格：AO3413

FET 類型P 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）3A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）97 毫歐 @ 3A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）6.1nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）540pF @ 10V
FET 功能-
功率耗散（最大值）1.4W（Ta）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝SOT-23-3L
封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3