描述：AOD413A
40V P溝道MOSFET
AOD413A使用先進的溝槽技術，設計提供低柵極的出色RDS（ON）收費。 具有優異的耐熱性DPAK封裝，此設備非常適合高當前的負載應用。

特征：AOD413A
VDS（V）= -40V
ID = -12A（VGS = -10V）
RDS（ON）<44mΩ（VGS = -10V）
RDS（開啟）<66mΩ（VGS = -4.5V）
經過100％UIS測試
已測試100％Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件編號AOD413A
描述MOSFET P-CH 40V 12A TO252
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL）1（無限）
原廠標準交貨期26 周
詳細描述表面貼裝型-P-通道-40V-12A（Tc）-2.5W（Ta）-50W（Tc）-TO-252-（D-Pak）

一般信息：AOD413A

數據列表AOD413A;
TO252 (DPAK) Pkg Drawing;
標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態有源
類別分立半導體產品
產品族晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列-

規格：AOD413A

FET 類型P 通道
技術MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）44 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）21nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1125pF @ 20V
FET 功能-
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），50W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應商器件封裝TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63