制造商: ON Semiconductor
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-126
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 60 V
集電極—基極電壓 VCBO: 60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 5 V
集電極—射極飽和電壓: 0.5 V
最大直流電集電極電流: 1.5 A
Pd-功率耗散: 12.5 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: BD137
封裝: Bulk
直流電流增益 hFE 最大值: 160
高度: 1.5 mm
長度: 8 mm
技術: Si
寬度: 3.25 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
集電極連續電流: 1.5 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 40
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 250
子類別: Transistors
單位重量: 761 mg