FDMS86101DC芯片此N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench®工藝生產。FDMS86101DC該工藝融入了柵極屏蔽技術。先進的硅技術和Dual Cool™ 封裝技術完美融合，可在提供最小rDS(on)的同時通過極低的結至環境熱阻保持卓越的開關性能。

特性

柵極屏蔽MOSFET技術

Dual Cool™頂側冷卻PQFN封裝

VGS = 10 V，ID = 14.5 A時，Max rDS(on)

= 7.5 mΩ

VGS = 6 V，ID = 11.5 A時，最大rDS(on) = 12mΩ

通態電阻rDS(on)

極低的高性能技術

100%經過UIL測試

符合RoHS標準

應用

DC-DC商用電源

FDMS86101DC

制造商：ON Semiconductor / Fairchild

說明：

MOSFET 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET

制造商: ON Semiconductor

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/箱體: DualCool-56-8

通道數量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續漏極電流: 14.5 A

Rds On-漏源導通電阻: 7.5 mOhms

Vgs -柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 44 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

配置: Dual

商標名: PowerTrench

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.05 mm

長度: 6 mm

系列: FDMS86101DC

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5 mm

商標: ON Semiconductor / Fairchild

產品類型: MOSFET

工廠包裝數量: 3000

子類別: MOSFETs

單位重量: 90 mg