富士電機推出業界最高水平低損耗“Super J-MOS系列”MOSFET
富士電機株式會社(東京都品川區、代表取締役社長)推出業內最高水平的低損耗MOSFET“Super J-MOS系列”產品。
1．上市目的
如今，人們對地球環境越來越關心，在不斷清潔化的IT領域及新能源等領域中，可實現高效電力變換的功率半導體受到廣泛矚目。
其中，MOSFET(注1)作為電力轉換過程所使用的主要裝置，對其降低損耗的要求越來越高。
此次，富士電機推出的Super J-MOS系列產品，采用具有新開發的低通態電阻特性的SJ結構(注2)，可大幅度地降低損耗。
據此，可通過提高設備的電力變換效率減少耗電，為實現低碳社會作貢獻。
2．產品特點
・降低通態電阻70％(注3)，達到業內最高水平的低損耗。
・結合最新降低開關損耗的技術，使元器件總損耗降低14％(注4)。
3．主要規格(代表機型)
額定電壓(V)
額定電流(A)
通態電阻(Ω)
封裝
上市時期
600V
20A
0．19
TO-220F,TO-22O
TO-3P,TO-247
即日
30A
0．125
2012年 4月
47A
0．07
TO-3P,TO-247
2012年 4月
68A
0．04
TO-247
2012年 4月
4．主要用途
・服務器、不間斷電源、播放設備等信息通信設備；
・面向太陽能電力調節器等新能源領域的電力變換裝置等。
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