制造商：Allegro MicroSystems, LLC
RoHS：
無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
封裝：剪切帶 (CT)
說明：SENSOR CURRENT 20A 5V BI 8-SOIC
特色產品：Allegro? ACS712 Current Sensor IC
標準包裝：1
類別：傳感器，變送器
家庭：電流變送器
系列：-
包裝：剪切帶 (CT)
電流 - 檢測：±20A
精度：±1.5%
靈敏度：96 ~ 104 mV/A
電流 - 電源：10mA
傳感器類型：開環霍爾效應
電壓 - 電源：4.5 V ~ 5.5 V
輸出：2.5V
頻率：80kHz
響應時間：5μs
極化：雙向
工作溫度：-40°C ~ 85°C
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝
產品目錄頁面：1140 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱：620-1190-1
上海德懿電子科技有限公司是國內領先的大型集成電路代理、分銷商。主要經營 ADI（LTC 亞德諾）、Altera（阿爾特拉）、XILINX（賽靈思）、TI（BB；NS 德州儀器）、Maxim（美信）、 Microchip（Atmel 微芯）、Micron（美光）、NXP（Freescale 恩智浦）、ON（Fairchild 安森 美）、Infineon （IR 英飛凌 ）、 ST（意法半導體）、TOSHIBA（東芝）、Cypress（Ramtron 賽普拉斯）、Vishay（威世）、LEM（萊姆）、OMRON（歐姆龍）等世界知名廠家產品。
公司專為國內的航天航空、軍工兵器、雷達船舶、冶煉冶金、工程勘探、采油測井、能源 轉換、鐵路系統、科研院所、電子通訊、汽車電子、電力系統、衛星導航、儀器儀表、醫 療設備、射頻微波通訊、工業控制等行業的科研、生產、工程等領域傳播著最新的技術并提 供全方位的配套產品服務，特別是對已經和即將停產的偏冷門、緊缺器件有著快捷獨特的解 決方案。其中單片機、存儲器、邏輯電路、光電藕合器、穩壓電路、電源管理器、模擬信號 器、繼電器等，在庫存和銷售上都已具備和市場需求相一致的競爭優勢。
折疊世界集成電路發展歷史
1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；
1950年：結型晶體管誕生
1950年： R Ohl和肖特萊發明了離子注入工藝
1951年：場效應晶體管發明
1956年：C S Fuller發明了擴散工藝
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發明了光刻工藝
1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應晶體管
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍
1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）
1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備制造公司
1971年：Intel推出1kb動態隨機存儲器（DRAM），標志著大規模集成電路出現
1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發明
1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世
1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（VLSI）時代的來臨
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺PC
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM
1985年：80386微處理器問世，20MHz
1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（VLSI）階段
1989年：1Mb DRAM進入市場
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝
1992年：64M位隨機存儲器問世
1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝
1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工藝；
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工藝
1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝
2000年：1Gb RAM投放市場
2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μm工藝
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。
2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。
2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。
2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。
2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發。
L7809CV、L7912CV、L7812CV、LMT85DCKT、SMAJ26A-E3/61、504050-1091、AMS1117-5.0、si8421BB-D-IS、BSS138DW-7-F、UCD7230RGWR、ACNV2601-000E、SMAJ20A-E3/61、BT169D、CMDSH-3、DF1E-4S-2.5C、SN74LVC541APWR、BLM21PG331SN1D、SN74LVC1G97IDCKREP、IHLP5050CEERR22M01、FH19SC-50S-0.5SH(05)、PD3S230H-7、F-PBA100-1、PDB-C160SM、SP3051-04HTG、SMAJ20A-E3/61、SMBJ9.0CA-E3/52、LT8582EDKD#PBF、MAX3370EXK+T、CRCW060333R0FKEA、MFR-25FTE52-120R、971100244、653115131822、971100244、744226、7443320330、744760227C、744761033A、744761039C、744761068A、744761110A、744761115A、744761118A、744761122A、744761133C、744762210A、744762215A、744762218A、744760310A、744760347A、744042004、744762268A、744762233A、744762227A、744762222A、744310013、SMAJ28CA、SMBJ28CA、1N5819、矩形連接器（針距2.5，12針直針)、矩形連接器（針距2.5，2針直針)、矩形連接器（針距2.5，4針直針)、SN74LVC1G97IDCKREP、IHLP5050CEERR22M01、FH19SC-50S-0.5SH(05)、PD3S230H-7、F-PBA100-1、PDB-C160SM、SP3051-04HTG、SMAJ20A-E3/61、SMBJ9.0CA-E3/52、LT8582EDKD#PBF、MAX3370EXK+T、CRCW060333R0FKEA、MFR-25FTE52-120R、971100244、653115131822、971100244、744226、7443320330、744760227C、744761033A、744761039C、744761068A、744761110A、744761115A、744761118A、744761122A、744761133C、744762210A、744762215A、744762218A、744760310A、744760347A、744042004、744762268A、744762233A、744762227A、744762222A、744310013、
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