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數據列表

標準包裝
類別 半導體模塊
家庭 FET
系列 HiPerFET™
FET 型 MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 特點 標準型

漏極至源極電壓(Vdss) 1000V（1kV）

電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 38A

開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 250 毫歐 @ 19A，10V

Id 時的 Vgs(th)（最大） 5V @ 8mA

閘電荷(Qg) @ Vgs 250nC @ 10V

輸入電容 (Ciss) @ Vds 7200pF @ 25V

功率 - 最大 890W

安裝類型 底座安裝

封裝/外殼 SOT-227-4，miniBLOC

供應商設備封裝 SOT-227B

包裝 管件