■產品描述：MB85RC04VPNF-G-JNERE1
MB85RC04VPNF-G-JNERE1是一種被稱為FRAM（鐵電隨機存取存儲器）的存儲芯片，配置為512×8位，通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成插入性存儲單元。與SRAM不同，MB85RC04VPNF-G-JNERE1無需備用電池即可保持數據。
MB85RC04VPNF-G-JNERE1臨時性存儲單元讀/寫的擴展進一步提升，至少為1012（一萬億）次，明顯超過FLASH和E2PROM。與FLASH或E2PROM不同，MB85RC04VPNF-G-JNERE1在寫入存儲器后無需重新序列。

■特色：MB85RC04VPNF-G-JNERE1
•位配置：512×8位
•二線串行接口：通過兩個端口實現完全可控：串行時鐘（SCL）和串行數據（SDA）。
•工作頻率：1 MHz（最大）
•讀/寫強度：1012（一萬億）次/字節
•數據保持：10年（+ 85°C），95年（+ 55°C），200年以上（+ 35°C）
•工作電源電壓：3.0 V到5.5 V
•低功耗：工作電流90μA（1 MHz下的典型值）
待機電流5μA（典型值）
•工作環境溫度范圍
：− 40°C到+ 85°C
•封裝：8前端塑料SOP（FPT-8P-M02）
符合RoHS

西旗科技是一家專業集成電路混合分銷商。

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服務以保證準確、準時地品質運輸。

經營原則：原裝、現貨、絕對價格優勢、誠信第一