■說明：MB85RC256VPNF-G-JNERE1
MB85RC256VPNF-G-JNERE1是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，配置為32,768字×8位，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元。與SRAM不同，MB85RC256VPNF-G-JNERE1無需使用數據備用電池即可保留數據。用于MB85RC256VPNF-G-JNERE1的非易失性存儲單元的讀/寫耐久性已提高到至少1012個周期，在數量上明顯優于其他非易失性存儲產品。MB85RC256VPNF-G-JNERE1寫入存儲器后（例如Flash的情況）不需要輪詢序列內存或E2PROM。

■特點：MB85RC256VPNF-G-JNERE1
•位配置：32,768字×8位
•兩線串行接口：可由兩個端口完全控制：串行時鐘（SCL）和串行數據（SDA）。
•工作頻率：1 MHz（最大）
•讀寫耐久性：1012次/字節
•數據保留：10年（+ 85°C），95年（+ 55°C），200年以上（+ 35°C）
•工作電源電壓：2.7 V至5.5 V
•低功耗：工作電源電流200μA（最大@ 1 MHz）
待機電流27μA（典型值）
•工作環境溫度范圍
：-40°C至+ 85°C
•封裝：8針塑料SOP（FPT-8P-M02）
8針塑料SOP（FPT-8P-M08）
兩者均符合RoHS

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