一般說明：S25FL512SAGMFI010
賽普拉斯S25FL512S器件是一種閃存非易失性存儲器產品，其使用：
MirrorBit技術-在每個存儲陣列晶體管中存儲兩個數據位
Eclipse體系結構-大大提高了編程和擦除性能
65納米工藝光刻
該設備通過串行外圍設備接口（SPI）連接到主機系統。傳統SPI一位串行輸入和輸出（單支持I / O或SIO，以及可選的兩位（雙I / O或DIO）和四位（四位I / O或QIO）串行命令。這個倍數
寬度接口稱為SPI Multi-I / O或MIO。此外，FL-S系列增加了對雙倍數據速率（DDR）讀取命令的支持適用于SIO，DIO和QIO，它們在時鐘的兩個邊沿上傳輸地址并讀取數據。
Eclipse體系結構具有頁面編程緩沖區，該緩沖區允許在一個程序中最多編程256個字（512字節）。操作，比上一代SPI編程或擦除算法產生更快的有效編程和擦除。
直接從閃存執行代碼通常稱為就地執行或XIP。通過以更高的時鐘速率使用FL-S設備通過QIO或DDR-QIO命令支持，指令讀取傳輸速率可以匹配或超過傳統的并行接口，
異步，NOR閃存，同時大大減少了信號數量。
S25FL512SAGMFI010產品提供高密度，以及各種嵌入式產品所需的靈活性和快速性能。應用程序。它是代碼影子，XIP和數據存儲的理想選擇。


特征：S25FL512SAGMFI010
具有通用I / O的CMOS 3.0 V內核
具有多I / O的串行外圍設備接口（SPI）
密度
512 Mbits（64 MB）
SPI
❐SPI時鐘極性和相位模式0和3
❐雙倍數據速率（DDR）選項
❐擴展尋址：32位地址
❐串行命令集和封裝兼容
S25FL-A，S25FL-K和S25FL-P SPI系列
❐多I / O命令集和封裝與
S25FL-P SPI系列
讀取命令
❐普通，快速，雙路，四路，快速DDR，雙路DDR，四路DDR
❐AutoBoot-開機或重置并執行Normal或Quad
在預選地址自動讀取命令
❐公共閃存接口（CFI）數據以獲取配置信息。
編程（1.5 MBps）
❐512字節頁面編程緩沖區
❐用于慢時鐘系統的四輸入頁面編程（QPP）
❐自動ECC-內部硬件錯誤糾正代碼
單比特糾錯生成
擦除（0.5至0.65 MBps）
❐統一的256 KB扇區
騎行耐力
❐至少100,000個程序擦除周期
數據保留
minimum至少20年的數據保留
安全功能
of 1024字節的OTP數組
❐塊保護：S25FL512SAGMFI010
•狀態寄存器位控制程序保護
或擦除連續范圍的扇區。
•硬件和軟件控制選項
❐高級行業保護（ASP）
•由引導代碼或
密碼
帶有Eclipse™的Cypress®65 nmMirrorBit®技術
建筑
核心電源電壓：2.7 V至3.6 V
I / O電源電壓：1.65 V至3.6 V
16 SO16和FBGA封裝
溫度范圍：S25FL512SAGMFI010
❐工業（–40°C至+85°C）
❐工業增強版（–40°C至+105°C）
❐汽車，AEC-Q100 3級（–40°C至+85°C）
❐汽車級AEC-Q100 2級（–40°C至+105°C）
❐汽車，AEC-Q100 1級（–40°C至+125°C）
封裝（全部無鉛）
❐16引腳SOIC（3億）
❐24-BGA（6×8毫米）
•5×5球（FAB024）和4×6球（FAC024）占地面積
選項
❐已知良好的模具和已知的測試模具

制造商:S25FL512SAGMFI010
Cypress Semiconductor
產品種類:
NOR閃存
RoHS:
詳細信息
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOIC-16
系列:
S25FL512S
存儲容量:
512 Mbit
最大時鐘頻率:
133 MHz
接口類型:
SPI
組織:
64 M x 8
定時類型:
Synchronous
數據總線寬度:
8 bit
電源電壓-最小:
2.7 V
電源電壓-最大:
3.6 V
電源電流—最大值:
35 mA
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
封裝:
Tray
存儲類型:
NOR
速度:
133 MHz
結構:
Eclipse
商標:
Cypress Semiconductor
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
NOR Flash
工廠包裝數量:
240
子類別:
Memory & Data Storage
商標名:
MirrorBit
單位重量:
200.700 mg