描述：STN3NF06L
N通道60 V，0.07Ω（典型值），4 A STripFET™II
采用SOT-223封裝的功率MOSFET
該功率MOSFET系列實現了
意法半導體獨特的STripFET™工藝專為減少輸入而設計電容和柵極電荷。 因此非常理想作為高級高效的主要開關用于電信和電信的隔離式DC-DC轉換器
計算機應用程序。 也適用于任何低柵極電荷驅動的應用要求。


特征：STN3NF06L
最大訂購號VDS RDS（on） ID
STN3NF06L 60 V 0.1Ω4 A
出色的dv / dt功能
經過100％雪崩測試
低閾值驅動

應用領域：STN3NF06L
切換應用

制造商:STN3NF06L
STMicroelectronics
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-223-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
4 A
Rds On-漏源導通電阻:
100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Qg-柵極電荷:
7 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
3.3 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
STripFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.8 mm
長度:
6.5 mm
系列:
STN3NF06L
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
3.5 mm
商標:
STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:
3 S
下降時間:
10 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
25 ns
工廠包裝數量:
4000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
20 ns
典型接通延遲時間:
9 ns
單位重量:
250 mg