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一般信息 數據列表 IRF3710(S,L)PbF

標準包裝 1
包裝 剪切帶（CT）
零件狀態 有源
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 HEXFET


規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 57A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 23 毫歐 @ 28A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 130nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3130pF @ 25V



功率耗散（最大值） 200W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB