制造商：Toshiba
說明：
IGBT晶體管IGBT 1000V 60A
制造商: Toshiba
產品種類: IGBT晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝/箱體: TO-3P
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓VCEO: 1000 V
柵極/發射極最大電壓: 25 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: GT60N321
集電極最大連續電流Ic: 60 A
高度: 26 mm
長度: 20.5 mm
寬度: 5.2 mm
商標: Toshiba
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 100
子類別: IGBTs
單位重量: 6.756 g
