描述：SSM3J332R
東芝場效應晶體管硅P溝道MOS類型（U-MOSVI）

特征：SSM3J332R
○電源管理開關應用
•1.8V驅動器
•低導通電阻：RDS（ON）= 144mΩ（最大值）（@ VGS = -1.8 V）
RDS（ON）= 72.0mΩ（最大值）（@VGS = -2.5 V）
RDS（ON）= 50.0mΩ（最大值）（@VGS = -4.5 V）
RDS（ON）= 42.0mΩ（最大值）（@VGS = -10 V）


注意：在重負載下連續使用（例如溫度/電流/電壓以及顯著變化溫度等）可能會導致本產品的即使在工作條件下（例如工作溫度/電流/電壓等）絕對最大額定值。請在查看以下內容后設計適當的可靠性東芝半導體可靠性手冊（“處理
預防措施” /“降額概念和方法”）以及單個可靠性數據（即可靠性測試報告和估計失敗率等）。
注1：在使用過程中，通道溫度不應超過150°C。
注2：PW≤1ms，占空比≤1％
注3：安裝在FR4板上。
（25.4毫米×25.4毫米×1.6毫米，銅墊：645平方毫米）

制造商:SSM3J332R
Toshiba
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23F-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
6 A
Rds On-漏源導通電阻:
144 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
- 1.2 V
Qg-柵極電荷:
8.2 nC
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
U-MOSVI
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.9 mm
長度:
2.9 mm
系列:
SSM3J332
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
1.3 mm
商標:
Toshiba
正向跨導 - 最小值:
5.7 S
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
75 ns
典型接通延遲時間:
15 ns
單位重量:
8 mg