MT41K64M16TW-107:J動態隨機存取存儲器

說明
1.35V DDR3L SDRAM設備是低壓版本
1.5V DDR3 SDRAM設備。參考DDR3（1.5V）SDRAM數據表規格在1.5V兼容模式下運行。
特征
•VDD=VDDQ=+1.35V（1.283V至1.45V）
•向后兼容VDD=VDDQ=1.5V±0.075V
•差分雙向數據選通
•8N位預取架構
•差分時鐘輸入（CK，CK）
•8家內部銀行
•標稱和動態模上終端（ODT）對于數據、選通和屏蔽信號
•可編程cas（讀）延遲（cl）
•可編程cas附加延遲（al）
•可編程cas（寫）延遲（cwl）
•固定突發長度（bl）為8，突發斬波（bc）為4（通過模式寄存器集[MRS]）
•可選擇飛行中的BC4或BL8（OTF）
•自刷新模式
•95°C的溫度
–64ms，8192次循環刷新至85°C
–32毫秒，8192次循環刷新，溫度>85°C至95°C
•自刷新溫度（SRT）
•自動自刷新（ASR）
•寫均衡
•多用途寄存器
•輸出驅動器校準選項1標記
•配置
–256兆歐x 4256M4
–128兆歐x 8 128M8
–64兆歐x 16 64M16
•FBGA封裝（無鉛）–x4，x8
–78球FBGA（8毫米x 11.5毫米）轉速克日元
–78球FBGA（8毫米x 10.5毫米）轉速陸軍部
•FBGA包裝（無鉛）-x16
–96球FBGA（8mm x 14mm）轉速G JT公司
–96球FBGA（8mm x 14mm）轉速行波管
•定時-循環時間
–1.07ns@中心線=13（DDR3-1866）-107
–1.25ns@中心線=11（DDR3-1600）-125
–1.5ns@中心線=9（DDR3-1333）-15E
–1.87ns@中心線=7（DDR3-1066）-187E
•工作溫度
–商用（0°C≤Tc≤+95°C）無
–工業（–40°C≤Tc≤+95°C）IT

只做原裝，優勢熱賣庫存，可出樣品！
MT41K256M16TW-107IT:P

MT41K256M16TW-107:P
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H5TC4G63CFR-PBA
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IS42S16320F-7TLI
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H5PS1G83EFR-S5C
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