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S34ML01G100TFI000 NAND閃存

發布時間:2019/10/18 17:44:00 訪問次數:194 發布企業:深圳市宇創芯科技有限公司

S34ML01G100TFI000NAND閃存

密度1 GB/2 GB/4 GB建筑
輸入/輸出總線寬度:8位/16位
頁面大小:
•x8=2112(2048+64)字節;64字節為空閑區
•x16=1056(1024+32)字;32字為備用區塊大小:64頁
•x8=128 KB+4 KB
•x16=64k+2k字
平面尺寸:
•1 GB/2 GB:1024塊/平面x8=128 MB+4 MBx16=64m+2m字
•4 GB:2048塊/平面x8=256 MB+8 MBx16=128m+4m字
設備尺寸:
•1 GB:每個設備1個平面或128 MB
•2 GB:每個設備2個平面或256 MB
•4 GB:每個設備2個平面或512 MB
NAND閃存接口
開放式NAND閃存接口(onfi)1.0兼容
地址、數據和命令多路復用
電源電壓
3.3-V設備:VCC=2.7 V~3.6 V
安全
一次性可編程(OTP)區域
電源轉換期間禁用硬件程序/擦除
附加功能
2 GB和4 GB部件支持多平面程序和擦除命令
支持備份程序
2 GB和4 GB部件支持多平面復制程序
支持讀緩存
制造商編號:01H
工作溫度
工業:-40°C至85°C
汽車:-40°C至105°C

性能
頁面讀取/程序
隨機存取:25微秒(最大值)
順序存取:25 ns(最小)
程序時間/多平面程序時間:200微秒(典型值)
塊擦除(S34ML01G1)
塊擦除時間:2.0 ms(典型值)
塊擦除/多平面擦除(S34ML02G1、S34ML04G1)
塊擦除時間:3.5 ms(典型值)
可靠性
100000個程序/擦除周期(典型)(每528字節(x8)或264個字(x16)有1位ECC)10年數據保留(典型)單平面結構(1-GB密度)
•塊0有效,且至少對1000有效使用ECC的程序擦除周期對于兩個平面結構(2-GB和4-GB密度)
•第0塊和第1塊有效,且至少在帶ECC的1000個程序擦除周期包裝選項無鉛低鹵48針TSOP 12×20×1.2毫米63球BGA 9×11×1 mm

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