2DSemiconductor二維納米材料是層狀的,并通過高壓生長技術合成得到了層狀。在高溫高壓下經過長時間。
2DSemiconductor二維納米材料訂單含有約200毫克,粒度從100納米到150微米不等。如此大的變化是為了允許其作為前體用于以下目的;
2DSemiconductor二維納米材料簡單去角質
作為cvd或pvd生長的前驅體
用于二維溶液制備
作為比較或參考材料
催化材料活性(工作電極)
2DSemiconductor二維納米材料的sem圖像