以斷電后存儲數據是否丟失為標準，存儲芯片（Memory）可分2類：一類是非易失性存儲器（Non-Volatile Memory），這一類Memory 斷電后數據能夠存儲，主要以NAND Flash 為代表，常見于U 盤和SSD（固態硬盤)； 另一類是易失性存儲器（VolatileMemory），這一類Memory 斷電后數據不能儲存，主要以DRAM 為代表， 兩個領域，一個是手機的閃存，另外一個是固態硬盤SSD。。主要用來做PC機內存（如DDR）和手機內存（如LPDDR） 2016年全球半導體市場規模為3400億美金，存儲器就占了768億美元。除了NAND Flash 和DRAM，Memory 還包含其他門類，例如Nor Flash、SRAM等。但從產值構成來分析，NAND Flash 和DRAM 是構成Memory 產業的核心構成，分別占據Memory 產值的37%和57%。 存儲芯片產業 DRAM市場： 由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據； DRAM全球高端壟斷、國產DRAM是空白！在2017年的DRAM市場： 三星電子以44.5%的市場份額穩居市場第一； SK海力士則以27.9%的市場份額緊追其后； 美光科技（22.9%）； 南亞科技（2.2%）； 存儲特征：斷電后數據不能存儲。 應用領域：主要是PC、手機、服務器的內存，分別占比30%、35%、15%。物聯網領域的DRAM的應用也在滲透，占15%左右。 量價特征：目前主要是供給和需求決定DRAM的價格走勢，而非技術升級。DRAM技術更新不明顯，DDR3作為主流技術已經存續超過5年，技術提升帶來的成本下降，沒有NAND Flash那么明顯。 市場空間與技術趨勢： 1）2015年全球市場約410億美元； 2）Trend Force預計2015年中國市場消耗DRAM高達120億美元，占全球比重23.2%，預計到2018年，中國DRAM市場容量將達到210美元規模，占全球比重達到29%； 3）存儲芯片（尤其是DRAM）持續緊缺，隨著PC操作系統由32位轉向64位，對于內存的需求大大增加，往往要從4GB升級至8GB乃至16GB，此外手機需求也是最大利好。 競爭格局： 1）3家壟斷：三星、SK海力士、美光，合計占據全球95%以上份額，三家市占率約4：3：2。 2）巨頭技術水平：三星已經大規模采用20nm制程，毛利率也達到40%；SK海力士采用25nm制程，毛利率也達到了40%；美光制程水平較靠后，以30nm為主，毛利率為25%左右。 國內企業在DRAM領域的市占率幾乎為0。 紫光國芯：除了DRAM業務有前景，其余都是垃圾 2015年8月收購西安華芯51%股權，該公司申請DRAM專利為國內之最 報告期內，產品繼續在服務器、個人計算機、機頂盒、電視機等方面穩定出貨，強化了國產DRAM存儲器供應商的領導地位。目前，公司DRAM存儲器芯片及相關內存模組產品已形成完整的系列，產品接口覆蓋SDR、DDR、DDR2和DDR3 DRAM。新開發的DDR4及LPDDR4等產品正在驗證優化中，2018年會逐步推出。公司自主創新的內嵌ECC DRAM存儲器產品，在有安全和高可靠性要求的工控、電力、安防、通訊和汽車電子等領域已實現批量銷售。 紫光國芯的存儲芯片毛利率和業績都一般，才賣了3億的產品，毛利率才7%，垃圾 存儲芯片產業 智能卡芯片包括什么呢？ 一是SIM卡，公司的4G的SIM卡廣受東南亞市場歡迎。 二是二代身份證芯片。這個市場也算二胎概念吧（笑~~），新增成年人口越多，銷量越大。 三是交通部標準的交通卡芯片。 特種集成電路是什么？？ 存儲芯片產業 存儲芯片產業 福建晉華專注利基型內存的開發，主攻消費型電子市場，有望憑借著中國本有的龐大內需市場壯大自身產能，甚至在補貼政策下，預估最快2018年底可能將影響國際大廠在中國市場的銷售策略，并且有機會取得技術IP走向國際市場。 合肥長鑫直搗國際大廠最核心的行動式內存產品。行動式內存已是內存類別中占比最高的產品，其省電技術要求極高，開發難度相當高。然而，中國品牌手機出貨已占全球逾四成， 兆易創新重磅切入主流DRAM（動態隨機存取存儲器）賽道，打開成長新空間：公司攜手合肥產投投資合肥長鑫，切入19nm主流DRAM領域。國內尚無DRAM 產能，長鑫最有希望突破，原計劃于2019Q3正式推出8Gb LPDDR4，并達到2萬片的月產能，實際于2018年7月提前超預期成功投片，未來有望實現進口替代，打開成長新空間。 封測企業 太極實業：A股最純正的Memory封測標的，2009年與DRAM巨頭海力士合資成立海太半導體，專門承接DRAM芯片封測。 深科技：2015年收購金士頓（KINSTON）核心封測廠商沛頓科技100%股權；2016年4月導入DDR4項目，截至今年6月底，出貨量已經突破150萬條。 晶方科技：2015年2月收購智端達科技，后者是原DRAM巨頭奇夢達科技位于蘇州工業園的封裝測試和模組工廠。 NAND Flash市場 幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。其中三星居壟斷地位NAND占37%。 存儲特征：斷電后數據能夠存儲，可大容量存儲。 應用領域：閃存卡、U盤、SSD（固態硬盤）。 量價特征：除供需外，3D NAND技術采用更為先進制程和架構設計，單位材料可以存儲更多信息，也可有效減少成本，導致NAND Flash價格走低。 市場空間與技術趨勢： 1）2015年全球市場約300億美元；中國市場預計60-70億美元 2）SSD（固態硬盤）替代傳統機械硬盤（HHD）的趨勢不可阻擋，尤其是3D NAND閃存技術將提振SSD（固態硬盤）需求，在PC端、企業服務器領域滲透率提高將導致SSD出貨量大增。NAND Flash已經取代手機基帶/AP 和CPU，成為半導體產業創新驅動和產值的最大領域。 競爭格局： 1）4分天下：三星市占率連續保持在35%上下；東芝與閃迪（SanDisk）合占30%左右；再就是美光、海力士。以上四家市占率達到令人咋舌的99%。 2）中金公司預計，紫光國芯在NAND市場份額將占中國總需求的50%左右，即300億人民幣。 國內企業： 武漢新芯（長江存儲）未來的龍頭：主要產品為3D NAND，擬投入1600億元，存儲廠預計于2018年完工，2019年量產，首批產能為4萬片，預計到2020年形成月產能30萬片，到2030年每月產能100萬片。 長江存儲于2016年7月26日在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎上正式成立，公司主要股東包括中國集成電路產業投資基金和紫光集團、湖北政府等，目前為清華紫光集團的子公司。設計的 NAND Flash 產品以為 32 層為主。 紫光國芯：從展訊到銳迪科，從西部數據（未遂，改合作）到美光（未遂），有點饑不擇食的意思。垃圾 封測企業 天科技：2015年與武漢新芯簽訂戰略合作協議，將部分承接后者的Memory封測訂單。 市場規模較小的NOR Flash， 格局稍顯分散，美光（占比25%）、Cypress（收購了飛梭半導體）、旺宏、三星、華邦、兆易創新、宜揚科技等7家占據了90%以上份額。其中， 兆易創新(603986)目前國內稀缺，全球市占率在10%左右。 存儲特征：斷電后數據能夠存儲，主要用于存儲代碼。屬于小容量型。 應用領域：手機、USB KEY、機頂盒等的代碼閃存應用。 市場空間：2015年全球市場約30億美元。 競爭格局： 1）空間小、格局分散，巨頭逐步退出小容量、毛利較低的NOR Flash市場； 2）美光（占比25%）、Cypress（收購了飛梭半導體）、旺宏、三星、華邦、兆易創新、宜揚科技等7家瓜分份額。 國內企業： 1）兆易創新：①國內稀缺的NOR Flash絕對龍頭，目前全球市占率10%左右； 未來的增長點：還有隨著0led的應用，汽車電子，物聯網的一些器件也會用到nor flash 原因：隨著美光、Cypress 等國際巨頭退出市場，2017 年利基型存儲器（小容量 NOR Flash/2DSLC NAND）出現供不應求的局面，市場上主要廠商僅剩下大陸的兆易創新和臺灣的旺宏、華邦電子，呈現出三足鼎立的局面。面對供給缺口，各公司紛紛擴產，搶占市場 2）在 SLC NAND 領域， 兆易創新 2017 年開始量產，尚處于起步階段，面對 NAND 大廠全力主攻大容量 3D NAND，使得 2D SLC NAND 存在較大進入空間。同時，2017 年兆易創新入股中芯國際，持股 1.0%，此次戰略入股為兆易創新未來發展提供了支持和保證 目前，兆易創新已可以提供容量達 32Gb 的 SLC NAND 產品，制程上已于 2017 年量產了 38nm，正在提升 24nm 的良品率，尖端制程為 14/10nm。2018 年，兆易創新開始擴產 SLC NAND，保守估計年末月產能可達 5000 片，略低于去年 NOR 產能，考慮兩項業務相似的毛利率，且 SLC NAND 與 NOR 具有重疊的客戶群，容易放量。SLC NAND 這塊業務有望成為新的業績增長點 SLC NAND 這塊業務主要應用于，，機頂盒、POS機、可穿戴設備和其他高安全應用提供帶有集成式分區保護特性的單一非易失性內存，可幫助用戶降低系統成本，提高系統的安全性。 3）MCU 即微處理器，俗稱單片機。垃圾 即將 CPU、存儲器（RAM 和 ROM）、多種 I/O 接口等集成在一片芯片上，形成的芯片級計算機。作為電子產品的“大腦”，MCU 負責電子產品中數據的處理和運算，因其高性能、低功耗、可編程、靈活性等優點，在網絡通信、計算機、汽車電子、IC 卡、工業控制、消費電子等領域有著十分廣闊的應用前景 MCU 市場持續擴張：2017 年 MCU 全球出貨量同比增加 22%，營收達 168 億美元

⑤兆易創新和合肥長鑫DRAM合作非常順利！2017年10月，兆易創新宣布，與合肥長鑫進行19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發項目合作。目標在 2018 年12 月 31 日前研發成功，即實現產品良率（測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例）不低于 10%。此次合肥長鑫的重要突破，也利好兆易創新的DRAM戰略！

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