SIS434DN-T1-GE3MOSFET晶體管 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS:無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 35 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 40 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
高度: 1.04 mm
長度: 3.3 mm
系列: SIS
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 60 S
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 25 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
零件號別名: SIS434DN-GE3

手機業者透露，聯發科MT6885搭載Arm最新Deimos處理器核心及Valhall GPU架構，運算跑分已與高通旗鼓相當，

第四季在臺積電進入量產，投片量約達5,000片，明年第一季投片量將拉高至1.5～2萬片規模。

聯發科全力沖刺5G SoC出貨，由于中國大陸已發放Sub-6GHz的5G頻段商用執照，包括華為、OPPO、Vivo、小米

等手機大廠均計劃在明年第一季開賣5G智能手機，除了采用高通方案，中端手機亦將搭載聯發科第一顆采用臺積電7nm

制程、型號為MT6885的5G SoC。再者，聯發科9月底完成第二顆采用臺積電7nm、型號為MT6873的5G SoC的設計定案，

芯片尺寸預估可減少25％，成本也將跟著明顯降低，預期明年第二季開始量產投片，將在明年第三季搶攻大陸手機廠訂單。

在競爭對手面臨制程不穩定的情況下，聯發科擁有更多的發揮空間，推算聯發科明年5G SoC出貨目標將上看4,000萬至5,000

萬套，兩顆5G SoC明年全年在臺積電7nm投片量上看8萬片。聯發科對5G市場火力全開，預期會在明年再推出四款5G SoC擴

大市占率，除了搭載更高效能Arm架構Hercules處理器核心及人工智能（AI）核心，亦將微縮制程采用臺積電6nm生產，部分

可支持mmWave（毫米波）頻段。

據了解，除了OPPO、Vivo等手機廠采用之外，業界傳出華為也將采用并推出新款手機，并有機會再度打進三星ODM手機供應鏈。

聯發科受惠于5G SoC在明年上半年出貨，且單價是4G SoC的四到五倍，對于營收及獲利會有十分明顯的提振效益。

SI7726DN-T1-GE3
SIS434DN-T1-GE3
SIS402DN-T1-GE3
SIS407DN-T1-GE3
SIS406DN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3
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SUD50P06-15-GE3
SUD50P10-43L-E3