全球存儲器芯片市場大有可為。英特爾正在試圖借助英特爾®傲騰™技術來打破三星電子、SK海力士在存儲器芯片市場的壟斷地位。英特爾是CPU的領導者。但是英特爾已經重新樹立起“以數據為中心”的戰略，正在通過Optane Memory重新占領消費級存儲芯片市場。
DRAM的先驅之一：英特爾
翻開半導體行業發展史，英特爾實際上是DRAM的先驅之一。1970年10月，英特爾發布了第一款劃時代的量產DRAM——i1103 1kb內存芯片，真正使DRAM的生產達到經濟規模，DRAM產業史由此開始。
1970年英特爾(Intel)3英寸晶圓廠生成的的i1103是第一款劃時代的量產DRAM，真正使DRAM的生產達到經濟規模，使得每bit存儲降到1美分。i1103只有1k容量，是今天內存容量的百萬分之一。
在1969年推出的首款靜態RAM（SRAM）“ 1101”產品中，英特爾將充當半導體開關的晶體管數量減少到六分之一。由于更高的集成度和更低的制造成本，英特爾壟斷了DRAM市場。
但是英特爾在DRAM市場的霸主地位并沒有持續多久。這是由于1972年日本公司的突襲。日本電氣（NEC）、富士通和精工（SEIKO）等日本巨頭已經開始進入半導體市場，以及游戲機市場崩盤，導致內存嚴重過剩，使得行業利潤降至冰點。英特爾對對手的低價攻勢感到震驚，并通過重組內存業務，退出DRAM領域。
大約20年后的1988年，英特爾再次進入NAND閃存業務。到2000年初三星在NAND閃存技術領域處于領先地位，英特爾的影響力已微不足道，因為三星電子通過垂直堆疊制程NAND閃存的V NAND技術在市場中具有壓倒性優勢。
兩次落敗之后，英特爾推出了領先的技術Optane Memory，再次進軍NAND閃存市場。
英特爾已經宣布，它將使用十年來開發的Optane Memory技術來打造一個全新的內存概念。Optane DC永久內存DIMM是今年使用該技術推出的第一款產品。
信息和容量的爆炸性增長對DRAM需求正在急劇增加。Optane Memory具有存儲信息、速度和價格競爭力，最大容量為512GB（千兆字節），是64GB通用DRAM容量的8倍。
海力士開發第三代10納米DDR4 DRAM
韓國半導體大廠SK海力士宣布，推出搭載10納米級制程(1Znm) 的16GB DDR4 DRAM，每個晶圓的總儲存容量是現有DRAM中最大的，海力士預計于明年開始量產。這款實現了單一芯片標準內業界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產的存儲量也是現存的DRAM內最大。
于第二代1Y產品相比，該產品的生產效率提高了27%，并且可以在不適用超高價的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進行生產，結果具有成本競爭力。該款1Z納米 DRAM還穩定支持最高3200Mbps的數據傳輸速率，這是DDR4規格內最高速度。功耗也顯著提高，與基于第二代8Gb產品的相同容量模組相比，將功耗降低了約40％。
特別是，第三代產品適用前一代生產工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關鍵要素靜電容量最大化。此外，還引進了新的設計技術，提高了動作穩定性。
而主要的競爭對手三星電子(Samsung Electronics)早在2019年3月開發出的1z nm奈米的8GbDDR4產品。16Gb裸晶封裝成顆粒即為單顆2GB容量芯片，電路板雙面滿上16GB 顆，就能構成32GB容量模組。
同去年底，Samsung率先發布的16Gb產品，而另一要角Micron是在今年夏天發布，并且和SK hynix一樣是1z nm世代產物。
三星與英特爾在內存市場展開激烈競爭
8月，三星宣布了DRAM模塊將與AMD的第二代服務器CPU Epic一起提供。該策略是通過高達256GB的超高容量服務器內存來吸引客戶。
三星電子執行董事說：“三星正在與AMD緊密合作，開發用于下一代服務器的最新處理器、內存和存儲產品。”
三星的戰略是與對手保持制造技術的差距。三星電子最近通過已開發出世界上第一個12層3D-TSV(直通硅通孔)技術DRAM模塊來增強其技術優勢，這種封裝技術可以在保持產品體積的同時保持高帶寬存儲器（HBM）容量。明年，三星計劃在DRAM的某些層上引入EUV工藝，這是一種超精細工藝。
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