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XC5VLX50-1FFG324C

發布時間:2012/6/12 10:27:00 訪問次數:319 發布企業:深圳市萊利爾科技有限公司

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安徽穩潤光電有限公司總經理陳和生也認為,大尺寸XC5VLX50-1FFG324C背光目前的主流技術和產品依然是CCFL。LED應用目前在光效、成本、熱源等方面都還存在推廣障礙。   

  *表示,雖然LED背光發展前景看好,但LED光源技術現階段XC5VLX50-1FFG324C還稱不上完美。包括成本、光效率、亮度均勻性控制等難題尚需技術層面的改進。*認為,LED為點光源性質,不同于線光源的CCFL。應用于背光的LED,需要在光均性的處理上特別講究。為講求光均性,每顆LED的XC5VLX50-1FFG324C保所有的LED都具備長壽功能。如此嚴格的挑選,便使得LED背光的成本攀升。   

  但是,LED技術良好的發展潛力使得業界不遺余力的設法克服上述問題。隨著LED光源技術的不斷提升,已經有越來越多的液晶顯示產品采用LED技術。
LED背光的優勢 編輯本段回目錄  LED背光的亮度高,長時間使用亮度也不會下降而且LED背光的機身更薄,外形也美觀。   
 肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD),SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導體XC5VLX50-1FFG324C 肖特基二極管簡介編輯本段回目錄肖特基二極管結構原理圖  肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier DiodeXC5VLX50-1FFG324C,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,XC5VLX50-1FFG324C是一種熱載流子二極管。   

  肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高XC5VLX50-1FFG324C速半導體器件。其反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向導通壓降僅0.4V左右,而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優良特性是快恢復二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。
SBD原理 編輯本段回目錄  特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然,金屬A中沒有空*,也就不存在空*自A向B的擴散運動。隨著電子不斷XC5VLX50-1FFG324C,B表面電子濃度逐漸降低,表面電中性被破壞,于是就形成勢壘,其電場方向為B→A。但在該電場作用之下,A中的電子也會產生從A→B的漂移運動,從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后,電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平XC5VLX50-1FFG324C衡,便形成了肖特基勢壘。


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