一般說明：NTR2101PT1G

該NPN雙極晶體管專為通用VHF / UHF應用而設計，并封裝在SOT-23表面貼裝封裝中。

該器件非常適合低功耗表面貼裝應用。


特征：NTR2101PT1G
•領先的低RDS溝槽技術
•低壓柵極驅動器額定值為−1.8 V
•SOT-23表面貼裝，占地面積小（3 x 3毫米）
•這是無鉛設備
應用領域
•高端負載開關
•DC-DC轉換
•手機，筆記本電腦，PDA等。

制造商:NTR2101PT1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
8 V
Id-連續漏極電流:
3.7 A
Rds On-漏源導通電阻:
120 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
- 1 V
Qg-柵極電荷:
12 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
960 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.94 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTR2101P
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.3 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
9 S
下降時間:
31 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
15.75 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
38 ns
典型接通延遲時間:
7.4 ns
單位重量:
8 mg