7MBR35SB120-50富士IGBT模塊，7MBR35SB120-50進口全新原裝，7MBR35SB120-50是2012+無鉛環保富士產品：

富士電機推出業界最高水平低損耗“Super J-MOS系列”MOSFET

富士電機株式會社(東京都品川區、代表取締役社長)推出業內最高水平的低損耗MOSFET“Super J-MOS系列”產品。

1．上市目的
如今，人們對地球環境越來越關心，在不斷清潔化的IT領域及新能源等領域中，可實現高效電力變換的功率半導體受到廣泛矚目。
其中，MOSFET(注1)作為電力轉換過程所使用的主要裝置，對其降低損耗的要求越來越高。
此次，富士電機推出的Super J-MOS系列產品，采用具有新開發的低通態電阻特性的SJ結構(注2)，可大幅度地降低損耗。
據此，可通過提高設備的電力變換效率減少耗電，為實現低碳社會作貢獻。

2．產品特點
・降低通態電阻70％(注3)，達到業內最高水平的低損耗。
・結合最新降低開關損耗的技術，使元器件總損耗降低14％(注4)。

N系列 第三代 IGBT模塊
600V 1MBI 一單元: 1MBI600NN-060 1MBI600NP-060
*注：1MBI600NN-060和1MBI600NP-060是對管
2MBI兩單元: 2MBI50N-060 2MBI75N-060 2MBI100N-060 2MBI150N-060 2MBI200N-060 2MBI200N-060-03 2MBI300N-060 2MBI300N-060-04 BI400N-060 2MBI400N-060-01 2MBI600NT-060

1200V
一單元: 1MBI200N-120 1MBI300N-120 1MBI400N-120

兩單元: 2MBI50N-120 2MBI75N-120 2MBI100N-120 2MBI150N-120 2MBI200N-120 2MBI300N-120 2MBI300N-120-01

P系列 “NPT”工藝，正溫度系數
1MBI一單元: 1MBI600PX-120 1MBI600PX-140
2MBI兩單元: 2MBI50P-140 2MBI75P-140 2MBI100PC-140 2MBI150PC-140 2MBI200PB-140 2MBI300P-140

S系列 第四代 IGBT模塊 (1200V)

一單元: 1MBI300S-120 1MBI400S-120
兩單元: 2MBI100SC-120 2MBI150SC-120 2MBI200S-120 2MBI300S-120
六單元: 6MBI10S-120 6MBI15S-120 6MBI25S-120 6MBI35S-120 6MBI50S-120 6MBI50S-140 6MBI75S-060 6MBI75S-120 6MBI75S-140 6MBI100S-060 6MBI100S-120 6MBI100S-140

以上富士IGBT模塊，我公司常備原裝現貨，咨詢熱線：0755-28115461轉601向小姐/13066878252