全球DRAM產業經過淘汰競合，自美光(Micron)完成爾必達的整并后，確立形成以三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)與美光三大巨擘寡占市場的穩定型態。盡管DRAM市況景氣從2018年8月達到頂峰后，市場價格一路下跌延續至2019年第3季，估計累計跌幅已超過6成，但產業秩序相對穩定，差別僅在于從大賺變成小賺。
但DRAM產業固若金湯的勢力版圖卻可能在未來5~10年內面臨結構性改變，原有三大廠的寡占地位將面臨新進者突圍的壓力，而最大潛在威脅者正是來自于近期宣布組建DRAM事業群的紫光集團，延攬了前華亞科董事長、長江存儲執行董事的高啟全來擔任執行長，肩負著全面強化中國DRAM自有供應鏈發展的使命，并規劃于2019年底進行廠房動工，且在2021年完工。
紫光精心籌謀布局DRAM事業 巨資投入搶占市場
紫光集團在轉投資長江存儲研發3D NAND制程取得重大突破后，企圖新進一步擴大至DRAM產業，而相關布局早已陸續低調啟動，2018年4月紫光宣布旗下IC上市公司紫光國芯改名為紫光國芯微電子(紫光國微)，藉此劃分集團內DRAM芯片制造領域；到了10月，紫光國微將原有的西安紫光國芯100%股權，宣布轉讓給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技，而紫光國芯前身基礎來自于奇夢達(Qimonda)改制重建。
從事后回推來看，當時紫光集團內的組織調整與變動，就是為了日后DRAM芯片制造的產業大夢進行布局，紫光國微不僅是要扮演集團內DRAM產業鏈的中樞核心角色，其最終目標就是要成為足以取得國家力量支持的DRAM代表廠商。
在正式對外宣布成立DRAM事業部后，紫光集團于8月開始加速DRAM制造的推進腳步，與重慶市政府達成合作協議，在重慶建設紫光DRAM事業群總部、DRAM總部研發中心、DRAM制造廠以及紫光科技園等，初期規劃將以月產能10萬片為目標，雖然12吋廠房預計在2021年完工，但紫光已先在現有工廠內開始設立試生產線，為DRAM量產技術預作準備。
業界人士指出，紫光集團的DRAM芯片制造藍圖將不止于重慶市，未來將擴大投資布局，陸續推展至其他2~3個城市建置制造基地，而每一據點將可能規劃2~3期廠房建設。以一期10萬片規模估算，預計未來紫光集團將建立30萬~50萬片的月產能規模。
若以目前全球DRAM產能規模約在130萬片左右計算，紫光每增加一座12吋DRAM廠，相當于增加全球6%產能，長期來看，在技術開發完成并全面擴充產能后，全球DRAM產能將大幅增加30%。據傳，紫光內部也計劃未來十年投資高達人民幣8,000億元(逾新臺幣3.5兆元)，以全力推動DRAM量產。
合肥長鑫率先量產 DRAM產業國家隊競爭激烈
在紫光集團進入DRAM量產之前，近期另一樁中國DRAM產業的大事正是合肥長鑫邁入投產階段。受到福建晉華被美方祭出限令后，DRAM產業發展一度受到重挫，但合肥長鑫并未因此放棄，在重新整頓及檢視內部技術后，強化專利技術的源頭，并取經2009年已破產的德系大廠奇夢達堆棧式(stack)的技術架構，日前對外宣布投產，樣品陸續送樣至客戶，即將量產8GB DDR4及LPDDR4的產品，成為DRAM廠商最快進入量產里程碑的業者。
合肥長鑫原本已預計在2019年初進行量產，但福建晉華的前車之鑒讓合肥長鑫轉趨謹慎，經由多方管道與奇夢達簽訂合作協議，初期將先導入月產能2萬片的機臺設備。根據合肥長鑫先前規劃，一期工程投資將達到72億美元(約人民幣494億元)，建設月產能達12.5萬片晶圓的存儲器工廠。
業界認為，無論是合肥長鑫或福建晉華都是藉由地方政府而打造，必須搶快進入量產，但中美貿易戰下的科技戰角力持續升溫，扶植DRAM產業更需要的藉由國家資本的力量支持，尤其在福建晉華如今妾身未明下，僅有一家合肥長鑫將勢單力薄，不足以提升國內對整體DRAM基礎研發與制造能力的戰略性發展；而紫光集團如今備受關注，來自于過去長期取得大基金的資金挹注，并被視為具有中央政府勢力的色彩。
在長江存儲順利量產3D NAND制程后，紫光集團目前正進一步積極爭取中央官方的認可，希望以「國家隊」的角色扮演領頭羊，未來將可能登高一呼成為DRAM制造聯盟的整合者，將福建晉華或合肥長鑫都納入版圖。
不過業界認為，依照產業發展的慣例，初期仍將以各省級政府進行主導支持，畢竟各地方政府官員都有達成績效的壓力與目標，且產業發展仍在初期階段，誰都不一定要服誰，能熬過產業競爭與市場挑戰，最后做大規模者就有機會拿下「國家隊」的頭銜。
外界一度認為，在DRAM專利大網箝制至全球三大廠手中下，紫光集團將難以突破專利限制，但熟識高啟全的產業人士認為，紫光集團將會合法使用技術授權，并會尊重智慧財產權，在必要時將會取得大廠的技術授權，換言之，紫光集團若要取得中央官方的背書，必需要能確切證明自己不會成為第二個福建晉華。
在技術自主開發的原則下，紫光DRAM至少需要3~5年研發時間，即使2021年工廠完工或小量投片后，要達到具有經濟規模的時間，可能將在2024~2025年左右，屆時紫光將成為牽動全球DRAM市場版圖與供給狀況的影響者。
全球DRAM技術制程即將進入瓶頸 國內量產崛起威脅大增
紫光集團或DRAM芯片邁入量產制造對于DRAM產業的關鍵影響，必須放大到全球DRAM先進制程技術的推進與瓶頸。
目前全球約9成DRAM市場由三星電子、SK海力士、美光等3家公司寡占，其中，龍頭廠三星在2019年第1季宣布首創先例開發出第3代10奈米等級(1z奈米制程)8GB高效能DRAM，可望于下半年開始進入生產，而在DRAM價格跌落下，傳出三星將采用EUV技術導入于1z奈米DRAM制程。
至于美光也表示，近期已完成1z奈米研發并開始在日本進行試產，如今臺灣廠區在2019年下半導入1Y制程量產后，在一年推進一個技術世代的目標下，2020年1Z奈米將導入臺灣廠區量產，未來將開始投入1α、1β奈米等研發進程。
由于20奈米制程節點后，DRAM 制程升級更為困難，DRAM 存儲器制程的線寬指標不再那么精確，因此1x奈米制程相當于16~19奈米，1y奈米制程相當于14~16奈米，1z奈米制程則是大概為12~14奈米制程，而技術投資規模更為龐大，投入DRAM先進制程必須依靠雄厚的財力支援。
相較于過去20奈米制程時期，每一升級新的制程，其晶圓位元成長率將可以提升50%以上，相當于2年就可以翻倍成長，但隨著難度越來越高，晶圓位元成長的幅度已無法比照過去，平均約超過30%以上提升，并透過制程升級來不斷追求降低每Gb生產成本。
華邦電子副總白培霖認為，DRAM制程節點的技術推進在未來6~8年后將難以持續，也就是在10奈米~12奈米之后進入瓶頸，無論是三星或美光都將在2026～2028年左右可望到達此一水平，因此過去DRAM大廠在每個世代升級而享受到技術或密度的優勢，可能在6~8年后將會面臨消失，一旦DRAM技術推進更為困難及緩慢，未來DRAM產業將可能進入傳統產業，屆時產業競爭的就是成本、市場與客戶服務的差異化。
白培霖指出，全球DRAM產業在過去15年出現很大的改變，經過兩次大整合，一次是海力士與LG集團合并，另一次則是日本爾必達進行大整并。而在奇夢達2009年倒閉，美光收購爾必達之后，DRAM產業進入全球寡占市場，三大廠實力相當并維持著產業平衡，至今已長達7~8年，DRAM產業進入市場應用面的轉變，包括從過去的PC主流應用進入手機，手機市場飽和后轉進資料中心等應用。
然而當紫光集團DRAM技術順利開發完成，將可能于2024~2025年開始進入量產，將開始成為DRAM產業寡占勢力的重要突破口，如今國內積極推動半導體產業自主化發展，瞄準的是1x奈米以下的先進制程，對照于全球DRAM產業在進入10~12奈米后的瓶頸，DRAM產業勢力量產來勢洶洶，不計盈虧搶進終端市場，未來DRAM產業恐將進入10~15年供過于求的競爭態勢，不僅巨大投資將難以回收，產業秩序也將面臨崩解。
DRAM產業量產勢力崛起成為市場與業界的共同預期，只是發生的時間快慢而已，面對DRAM產業風暴洶涌再起，臺灣存儲器業者必須提早警覺，大量且標準化的市場未來勢必非常血腥，透過產品差異化，切入獨特的利基應用才有機會避免日后慘遭大廠夾殺的困境。
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