製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: UDFN6B-6
通道數: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續漏極電流: 10 A
Rds On - 漏-源電阻: 15.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: 4.5 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 300 mV
Qg - 閘極充電: 29.9 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 2 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
公司名稱: U-MOSVI
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 0.75 mm
長度: 2 mm
系列: SSM6J501
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 2 mm
品牌: Toshiba
產品類型: MOSFET
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 201 ns
標準開啟延遲時間: 45.2 ns