描述：2SC2412KT146R
具有集成驅動器和保護功能的LMG341xR070 GaN功率級使設計人員能夠在功率電子系統中實現更高的功率密度和效率水平。與硅MOSFET相比，LMG341x的固有優勢包括超低輸入和輸出電容，零反向恢復以將開關損耗降低多達80％，以及低開關節點振鈴以降低EMI。這些優點使密集而有效的拓撲結構像圖騰柱PFC一樣。LMG341xR070通過集成獨特的功能集來簡化設計，最大化可靠性并優化任何電源的性能，從而為傳統的共源共柵GaN和獨立的GaN FET提供了智能替代方案。集成的柵極驅動器可在接近零Vds振鈴的情況下實現100V / ns的開關，小于100 ns的電流限制可自我保護，防止意外的直通事件，過熱關機可防止熱失控，并且系統接口信號可提供自我監控功能。

特征：2SC2412KT146R
TI GaN工藝通過加速可靠性的應用中硬開關任務配置文件獲得了認可實現高密度電源轉換設計優于Cascode或獨立GaN FET的系統性能低電感8mm x 8mm QFN封裝，易于設計和布局可調節的驅動強度，可實現開關性能和EMI控制數字故障狀態輸出信號僅需+12 V穩壓電源集成柵極驅動器零共源電感20 ns的傳播延遲，用于MHz工作經過工藝調整的柵極偏置電壓可確保可靠性25至100V / ns的用戶可調擺率強大的保護無需外部保護組件<100ns響應的過電流保護> 150V / ns壓擺率抗擾度瞬態過電壓抗擾度過熱保護所有電源軌上的UVLO保護
設備選項：
LMG3410R070：鎖存過流保護
LMG3411R070：逐周期過流保護
所有商標均為其各自所有者的財產。

制造商:2SC2412KT146R
ROHM Semiconductor
產品種類:
雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS:
詳細信息
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SC-59-3
晶體管極性:
NPN
配置:
Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO:
50 V
集電極—基極電壓 VCBO:
60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:
7 V
最大直流電集電極電流:
0.15 A
Pd-功率耗散:
200 mW
增益帶寬產品fT:
180 MHz
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
系列:
2SC2412K
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
直流電流增益 hFE 最大值:
560
高度:
1.1 mm
長度:
2.9 mm
技術:
Si
寬度:
1.6 mm
商標:
ROHM Semiconductor
集電極連續電流:
0.15 A
直流集電極/Base Gain hfe Min:
120
產品類型:
BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量:
3000
子類別:
Transistors
單位重量:
8 mg