描述：STD3NK80ZT4
這些高壓設備受齊納保護N溝道功率MOSFET使用SuperMESH™技術意法半導體，對完善的PowerMESH™。 除了一個這些大大降低了導通電阻設備旨在確保高水平的dv / dt功能最苛刻應用程序。 這樣的系列補充了ST的全部內容革命性的MDmesh™產品。

特征：STD3NK80ZT4
極高的dv / dt功能
經過100％雪崩測試
柵極電荷最小化齊納保護


應用領域：STD3NK80ZT4
切換應用

制造商:STD3NK80ZT4
STMicroelectronics
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-252-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
800 V
Id-連續漏極電流:
2.5 A
Rds On-漏源導通電阻:
4.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Qg-柵極電荷:
19 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
70 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
SuperMESH
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
2.4 mm
長度:
6.6 mm
系列:
STD3NK80ZT4
晶體管類型:
1 N-Channel Power MOSFET
類型:
MOSFET
寬度:
6.2 mm
商標:
STMicroelectronics
下降時間:
40 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
27 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
36 ns
典型接通延遲時間:
17 ns
單位重量:
4 g