HEXFET®功率MOSFET
應用：IRFH7085TRPBF
半橋和全橋拓撲
同步整流器的應用諧振模式電源
DC / DC轉換器
DC / AC逆變器
特征：IRFH7085TRPBF
改進的Gate，雪崩和動態dV / dt堅固性
全面表征電容和雪崩SOA增強的體二極管dV / dt和dI / dt能力
無鉛，符合RoHS
Infineon
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
PQFN-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
147 A
Rds On-漏源導通電阻:
3.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3.7 V
Qg-柵極電荷:
110 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
配置:
Single
商標名:
StrongIRFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.83 mm
長度:
6 mm
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
5 mm
商標:
Infineon / IR
正向跨導 - 最小值:
140 S
下降時間:
23 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
25 ns
工廠包裝數量:
4000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
63 ns
典型接通延遲時間:
13 ns
