描述：TK15A50D

東芝場效應晶體管硅N溝道MOS類型（π-MOSⅦ）

特征：TK15A50D
開關穩壓器應用
•低漏源導通電阻：RDS（ON）= 0.24Ω（典型值）
•高遠期轉移準入：| Yfs | = 7.0 S（典型值）
•低泄漏電流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 500 V）
•增強模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

制造商:TK15A50D
Toshiba
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220FP-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
500 V
Id-連續漏極電流:
15 A
Rds On-漏源導通電阻:
300 mOhms
Pd-功率耗散:
50 W
配置:
Single
封裝:
Tube
高度:
15 mm
長度:
10 mm
系列:
TK15A50D
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.5 mm
商標:
Toshiba
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
50