單電源 N通道 40 V，1.4 m，200安
特征：NTMFS5C430NLT1G
•占地面積小（5x6毫米），緊湊設計
•低RDS（on）以最小化傳導損耗
•低QG和電容以最大程度減少駕駛員損失
•這些設備無鉛且符合RoHS要求
制造商:NTMFS5C430NLT1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SO-FL-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
40 V
Id-連續漏極電流:
200 A
Rds On-漏源導通電阻:
2.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1.2 V
Qg-柵極電荷:
70 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
110 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
商標:
ON Semiconductor
下降時間:
9 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
140 ns
工廠包裝數量:
1500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
31 ns
典型接通延遲時間:
15 ns
單位重量:
107.200 mg
