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SI1912EDH-T1-E3

發布時間:2019/11/29 12:25:00 訪問次數:187 發布企業:深圳市博浩宇科技有限公司

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MAADSS0008TR-3000
ADM211ARS
MX25L25635EMI-12G
BP2833D
規格 FET 類型 2 N-通道(雙)
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 1.13A
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 280 毫歐 @ 1.13A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 450mV @ 100μA(最小)
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值) 1nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 570mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商器件封裝 SC-70-6(SOT-363)

TONY.ZOU(鄒澤凱)
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深圳市博浩宇科技有限公司
地址:深圳市福田區振華路海外裝飾大廈A座1509
Tel:(0)13510413731,Fax:86-755-82780609
電子郵箱:sales01@szbohaoyu.com
Mobile:;QQ:361227457
Web:http://www.szbohaoyu.com

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