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IPB65R190CFD

發布時間:2019/12/3 14:25:00 訪問次數:395 發布企業:深圳市博浩宇科技有限公司

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AU6377-C33-FAL-GR
AUIRS2092S
規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 17.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 190 毫歐 @ 7.3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 730μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值) 68nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1850pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 151W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 D2PAK(TO-263AB)
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

TONY.ZOU(鄒澤凱)
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Mobile:;QQ:361227457
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