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AOD516

發布時間:2019/12/4 13:45:00 訪問次數:191 發布企業:深圳市博浩宇科技有限公司

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規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 18A(Ta),46A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 5 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值) 33nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1229pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 TO-252,(D-Pak)
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63



TONY.ZOU(鄒澤凱)
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