描述:IRFD120PBF
Vishay的第三代功率MOSFET提供了具有快速切換最佳組合的設計師，堅固的設備設計，低導通電阻和成本效益。
4引腳DIP封裝是一種低成本的機器插入式案例樣式，可以以多種組合形式堆疊在標準的0.1英寸引腳中心。雙漏極用作散熱連接至安裝表面，以實現最高1 W的功耗水平。
特征:IRFD120PBF
•動態dV / dt額定值
•重復雪崩等級
•用于自動插入
•可疊放
•175°C工作溫度
•快速切換和并行化
•符合RoHS指令2002/95 / EC
制造商:Vishay
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:HVMDIP-4
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續漏極電流:1.3 A
Rds On-漏源導通電阻:270 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:16 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:1.3 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:3.37 mm
長度:6.29 mm
系列:IRFD
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:5 mm
商標:Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值:0.8 S
下降時間:17 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:27 ns
工廠包裝數量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:18 ns
典型接通延遲時間:6.8 ns
