描述：IRF530PBF
Vishay的第三代功率MOSFET提供了具有快速切換最佳組合的設計師，堅固的設備設計，低導通電阻和成本效益。TO-220AB封裝普遍適用于所有功耗下的商業應用級別約為50W。低熱阻TO-220AB的低包裝成本有助于其在整個行業得到廣泛認可。
特征：IRF530PBF
•動態dV / dt額定值
•重復雪崩等級
•175°C工作溫度
•快速切換
•輕松并聯
•簡單的驅動器要求
•符合RoHS指令2002/95 / EC
制造商:Vishay
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220AB-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續漏極電流:14 A
Rds On-漏源導通電阻:160 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:26 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:88 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
系列:IRF
商標:Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值:5.1 S
下降時間:24 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:34 ns
工廠包裝數量:50
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:23 ns
典型接通延遲時間:10 ns
零件號別名:IRF520SPBF
單位重量:6 g
