描述：NCE2301
NCE P通道增強模式功率MOSFET
NCE2301使用先進的溝槽技術來提供出色的RDS（ON），低柵極電荷和帶柵極工作電壓低至2.5V。 該設備適合用作負載開關或在PWM應用中。

一般特征：NCE2301
●VDS = -20V，ID = -3A
RDS（開啟）<140mΩ@ VGS = -2.5V
RDS（開啟）<110mΩ@ VGS = -4.5V
●高功率和電流處理能力
●獲得無鉛產品
●表面貼裝

應用：NCE2301
●PWM應用
●負載開關
●電源管理

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