描述：NCE60P04Y
NCE P通道增強模式功率MOSFET
NCE60P04Y使用先進的溝槽技術，設計提供低柵極電荷的出色RDS（ON）。該器件非常適合用作負載開關或PWM應用程序。

一般特征：NCE60P04Y
●VDS = -60V，ID = -4A
RDS（開啟）<120mΩ@ VGS = -10V
RDS（開啟）<170mΩ@ VGS = -4.5V
●高密度電池設計，超低Rdson
●全面表征雪崩電壓和電流
●出色的封裝，散熱效果好

應用：NCE60P04Y
●負荷開關
●PWM應用

西旗科技是一家專業集成電路混合分銷商。NCE60P04Y

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