描述：IRFL110TRPBF
Vishay的第三代功率MOSFET提供了具有快速切換最佳組合的設計師，堅固的設備設計，低導通電阻和成本效益。
SOT-223封裝專為表面安裝而設計使用氣相，紅外或波峰焊技術。其獨特的包裝設計可輕松實現自動化像其他SOT或SOIC封裝一樣進行取放具有改善熱性能的附加優勢由于散熱片的擴大。 功耗在典型的表面貼裝中可能大于1.25 W
應用。
特征：IRFL110TRPBF
• 表面貼裝
•提供卷帶包裝
•動態dV / dt額定值
•重復雪崩等級
•快速切換
•易于并聯
•簡單的驅動器要求
制造商:Vishay
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-223-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續漏極電流:1.5 A
Rds On-漏源導通電阻:540 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:8.3 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:3.1 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.8 mm
長度:6.5 mm
系列:IRFL
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:3.5 mm
商標:Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值:1.1 S
下降時間:9.4 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:16 ns
工廠包裝數量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:15 ns
典型接通延遲時間:6.9 ns
單位重量:250 mg
