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制造商:
Cree, Inc.
產品種類:
射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管
發貨限制：
Mouser 目前在您所在地區不銷售該產品。
RoHS:
詳細信息
晶體管類型:
HEMT
技術:
GaN
增益:
12.4 dB
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
100 V
Vgs-柵源極擊穿電壓 :
- 10 V to 2 V
Id-連續漏極電流:
12 A
輸出功率:
131 W
最大漏極/柵極電壓:
-
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
-
安裝風格:
Screw Mount
封裝 / 箱體:
440210
封裝:
Tray
應用:
-
配置:
Single
高度:
5.03 mm
長度:
23.01 mm
工作頻率:
7.9 GHz to 9.6 GHz
工作溫度范圍:
-
產品:
GaN HEMT
寬度:
24.26 mm
商標:
Wolfspeed / Cree
正向跨導 - 最小值:
-
閘/源截止電壓:
-
類:
-
開發套件:
CGHV96100F2-TB
下降時間:
-
NF—噪聲系數:
-
P1dB - 壓縮點:
-
產品類型:
RF JFET Transistors
Rds On-漏源導通電阻:
-
上升時間:
-
工廠包裝數量:
50
子類別:
Transistors
典型關閉延遲時間:
-
Vgs th-柵源極閾值電壓:
- 3 V
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