描述:STGW39NC60VD
該IGBT采用了先進的PowerMESH™過程導致極佳的權衡在開關性能和低導通狀態之間行為。

特征：STGW39NC60VD
■低CRES / CIES比（無交叉傳導敏感性）
■IGBT與超快速續流二極管共封裝

應用領域：STGW39NC60VD
■高頻變頻器
■不間斷電源
■馬達驅動器
■感應加熱

STGW39NC60VD

制造商:STMicroelectronics
產品種類:IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術:Si
封裝 / 箱體:TO-247-3
安裝風格:Through Hole
配置:Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V
集電極—射極飽和電壓:1.8 V/1.7 V
柵極/發射極最大電壓:20 V
Pd-功率耗散:250 W
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
系列:STGW39NC60VD
封裝:Tube
集電極最大連續電流 Ic:80 A
高度:20.15 mm
長度:15.75 mm
寬度:5.15 mm
商標:STMicroelectronics
集電極連續電流:70 A
柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA
產品類型:IGBT Transistors
工廠包裝數量:600
子類別:IGBTs
單位重量:38 g