描述：BSS123LT1G
功率MOSFET170 mAmps，100伏N通道SOT-23
特征：BSS123LT1G
•適用于汽車和其他應用的BVSS前綴唯一的站點和控件更改要求； AEC-Q101合格且具有PPAP能力
•這些設備無鉛且符合RoHS要求
制造商:ON Semiconductor
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續漏極電流:170 mA
Rds On-漏源導通電阻:6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.6 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:225 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.94 mm
長度:2.9 mm
產品:MOSFET Small Signal
系列:BSS123L
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:1.3 mm
商標:ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:80 mS
產品類型:MOSFET
工廠包裝數量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:40 ns
典型接通延遲時間:20 ns
單位重量:8 mg
