描述：MMBZ18VALT1G
這些雙單片硅穩壓二極管設計用于需要瞬態過電壓保護功能的應用。他們適用于對電壓和ESD敏感的設備，例如計算機，打印機，商務機，通信系統，醫療設備和其他應用。他們的雙結常見陽極設計僅使用一個封裝即可保護兩條獨立的線路。這些該器件非常適合電路板空間非常寶貴的情況。
特征：MMBZ18VALT1G
•SOT-23封裝允許兩個單獨的單向配置或單個雙向配置
•標準齊納擊穿電壓范圍-5.6 V至47 V
•峰值功率− 24或40 W @ 1.0 ms（單向），根據圖6波形
•ESD等級：
−每個人體模型3B級（> 16 kV）
−每個機器型號C級（> 400 V）
•IEC61000-4-2等級4的ESD額定值，±30 kV接觸放電
•最大鉗位電壓@峰值脈沖電流
•低泄漏<5.0 A
•易燃性等級UL 94 V-0
•適用于汽車和其他要求獨特的SZ前綴現場和控制變更要求；符合AEC-Q101具備PPAP
•這些設備無鉛且符合RoHS要求
機械特性：MMBZ18VALT1G
案例：無空隙，傳遞模塑，熱固性塑料外殼
表面處理：耐腐蝕表面處理，易于焊接
焊接目的的最高外殼溫度：
260°C持續10秒
設計用于最佳自動化電路板組裝的封裝
小包裝尺寸，適合高密度應用
提供8毫米卷帶式
使用設備編號訂購7英寸/ 3,000單位卷盤。
在設備編號中將“ T1”替換為“ T3”以訂購
13英寸/ 10,000單位卷盤。
制造商:ON Semiconductor
產品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管
RoHS: 詳細信息
產品類型:ESD Suppressors
極性:Unidirectional
工作電壓:14.5 V
通道數量:2 Channel
端接類型:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
擊穿電壓:17.1 V
鉗位電壓:25 V
峰值脈沖功耗 (Pppm):40 W
Vesd - 靜電放電電壓觸點:30 kV
Vesd - 靜電放電電壓氣隙:-
Cd - 二極管電容 :-
Ipp - 峰值脈沖電流:1.6 A
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
系列:MMBZxxxALT1
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
商標:ON Semiconductor
工廠包裝數量:3000
子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
Vf - 正向電壓:0.9 V
單位重量:30 mg
