描述：NTR2101PT1G
MOSFET-單P通道，小信號，SOT-23-8.0 V，-3.7安
特征：NTR2101PT1G
•領先的低RDS溝槽技術
•低壓柵極驅動器額定值為−1.8 V
•SOT-23表面貼裝，占地面積小（3 x 3毫米）
•這是無鉛設備
應用領域：NTR2101PT1G
•高端負載開關
•DC-DC轉換
•手機，筆記本電腦，PDA等。
制造商:ON Semiconductor
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:8 V
Id-連續漏極電流:3.7 A
Rds On-漏源導通電阻:120 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:- 1 V
Qg-柵極電荷:12 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:960 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.94 mm
長度:2.9 mm
產品:MOSFET Small Signal
系列:NTR2101P
晶體管類型:1 P-Channel
類型:MOSFET
寬度:1.3 mm
商標:ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:9 S
下降時間:31 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:15.75 ns
工廠包裝數量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:38 ns
典型接通延遲時間:7.4 ns
單位重量:8 mg
